導(dǎo)師姓名

姜勇

性別

男

出生年月

1968年8月

技術(shù)職稱

教授

行政職務(wù)

?

所在學(xué)院

材料科學(xué)與工程學(xué)院

招生專業(yè)

材料物理與化學(xué)

聯(lián)系電話

010－62333209

E-mail

yjiang@

研究方向

1、自旋閥和鐵磁性隧道結(jié)器件的輸運行為
2、磁性納米線存儲器件的設(shè)計及構(gòu)筑
3、化學(xué)自組裝法制備納米磁性顆粒
4、磁納米電子器件結(jié)構(gòu)中的量子計算

畢業(yè)院校信息：
2000年畢業(yè)于中國科學(xué)院等離子體物理研究所凝聚態(tài)物理專業(yè)獲理學(xué)博士學(xué)位

個人簡況

　　2000年11在中科院等離子體物理研究所強磁場實驗室獲理學(xué)博士學(xué)位后分別在新加坡國立大學(xué)以及日本東北大學(xué)做博士后研究，2004年9月入選“北京科技大學(xué)422高層次創(chuàng)新人才引進”，現(xiàn)任北京科技大學(xué)材料物理與化學(xué)系教授、博士生導(dǎo)師，中南大學(xué)兼職教授。2006年1月入選教育部“新世紀優(yōu)秀人才計劃”，同年3月被聘為教育部“知名學(xué)者獎勵計劃”特聘教授。主要從事自旋電子學(xué)材料及器件的研究，目前作為項目負責人主持科研項目八項。
　　近幾年的研究成果和主要創(chuàng)新點如下：1.磁隨機存儲器的研究方面，在交換偏置的納米尺寸自旋閥中，運用獨特的“反對稱自旋閥結(jié)構(gòu)”，將有效降低了高密度存儲所需要的寫電流密度。該成果被收錄入2005年底最新修訂的《國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖》(ITRS 2005)，并被日本《讀賣新聞》、《日經(jīng)產(chǎn)業(yè)新聞》、《日本工業(yè)》以及《日刊工業(yè)》等新聞刊物專題報道；2. 計算機硬盤讀出磁頭材料的研究方面，發(fā)現(xiàn)人工反鐵磁體以及極薄金屬釕層對電流垂直于平面構(gòu)型自旋閥中巨磁電阻效應(yīng)的增強效果并發(fā)現(xiàn)了人工反鐵磁體對磁性多層膜的磁結(jié)構(gòu)的改善效應(yīng)。
2000年以來在國內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文50余篇，被SCI收錄40余篇，其中包括1篇NATURE MATERIALS（影響因子15.941）、1篇PHYSICAL REVIEW LETTERS（影響因子7.489） 、9篇APPLIED PHYSICS LETTERS （影響因子4.127）和8篇PHYSICAL REVIEW B （影響因子3.185）。在國際會議做特邀報告6篇次，國內(nèi)特邀報告4篇次。